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IXBX75N170中文资料

IXBX75N170图片

IXBX75N170外观图

  • 大小:180KB
  • 厂家:
  • 描述:IGBT 1700V 200A 1040W Through Hole PLUS247?-3
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:BIMOSFET™
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):3.1V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A
  • 功率 - 最大:1040W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:PLUS247?-3
  • 包装:管件

IXBX75N170供应商

更新时间:2023-01-12 14:20:20
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